onsemi FJB102TM Digital Transistor, 100 V NPN Surface, 2-Pin
- N° de stock RS:
- 186-8055
- Référence fabricant:
- FJB102TM
- Fabricant:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 100 - 240 | 0,894 € | 8,94 € |
| 250 - 490 | 0,775 € | 7,75 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 186-8055
- Référence fabricant:
- FJB102TM
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 100V | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 100V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 200 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 80W | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 2 | |
| Height | 4.58mm | |
| Width | 15.88mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 100V | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 100V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 200 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Power Dissipation Pd 80W | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 2 | ||
Height 4.58mm | ||
Width 15.88mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
FJB102: 100V High Voltage Power Darlington Transistor
High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= 4 V, IC= 3 A (Min.)
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Collector-Emitter Sustaining Voltage
Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors
Industrial Use
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.