onsemi Digital Transistor, 80 V dc NPN Through Hole TO-220, 3-Pin
- N° de stock RS:
- 186-7368
- Référence fabricant:
- BDX53BG
- Fabricant:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,708 € | 35,40 € |
| 100 - 200 | 0,532 € | 26,60 € |
| 250 - 450 | 0,526 € | 26,30 € |
| 500 - 950 | 0,451 € | 22,55 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 186-7368
- Référence fabricant:
- BDX53BG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Package Type | TO-220 | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 80V dc | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 80V dc | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65W | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 750 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V dc | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Length | 10.53mm | |
| Height | 9.28mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | BDX53B | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Package Type TO-220 | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 80V dc | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 80V dc | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65W | ||
Minimum DC Current Gain hFE 750 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V dc | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Length 10.53mm | ||
Height 9.28mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Series BDX53B | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The 8 A, 100 V, 65 W PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose and low speed switching applications. The BDX53B, BDX53C, BDX54B and BDX54C are complementary devices.
High DC Current Gain hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
Collector Emitter Sustaining Voltage @ 100 mAdc VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) BDX53B, 54B VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BDX53C, 54C
Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc VCE(sat) = 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
TO-220AB Compact Package
Pb-Free Packages are Available