onsemi Transistor, -20 A PNP, -50 V, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 184-4157
- Référence fabricant:
- 2SA2210-1E
- Fabricant:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 150 - 200 | 1,20 € | 60,00 € |
| 250 + | 1,169 € | 58,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 184-4157
- Référence fabricant:
- 2SA2210-1E
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -20A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -50V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | -50V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 1MHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | -6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 30W | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 150 | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | 2SA2210 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 28.85mm | |
| Length | 10.16mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -20A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -50V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO -50V | ||
Maximum Transition Frequency ft 1MHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO -6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 30W | ||
Minimum DC Current Gain hFE 150 | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Series 2SA2210 | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 28.85mm | ||
Length 10.16mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- KR
2SA2210 is a Bipolar Transistor, -50V, -20A, Low VCE(sat), PNP TO-220F-3SG for High-Current Switching Applications.
Adoption of MBIT process
Large current capacitance
Low collector to emitter saturation voltage
High speed switching
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