onsemi Transistor, 50 mA NPN, 12 V, 3-Pin SOT-23
- N° de stock RS:
- 184-1006
- Référence fabricant:
- MMBT5179
- Fabricant:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,032 € | 96,00 € |
| 9000 - 21000 | 0,028 € | 84,00 € |
| 24000 - 42000 | 0,026 € | 78,00 € |
| 45000 - 96000 | 0,026 € | 78,00 € |
| 99000 + | 0,025 € | 75,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 184-1006
- Référence fabricant:
- MMBT5179
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 50mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 12V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 25 | |
| Maximum Transition Frequency ft | 100MHz | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 225mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Height | 0.04mm | |
| Width | 1.3mm | |
| Length | 2.92mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 50mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 12V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Minimum DC Current Gain hFE 25 | ||
Maximum Transition Frequency ft 100MHz | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 225mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Height 0.04mm | ||
Width 1.3mm | ||
Length 2.92mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
NPN RF Transistor This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers with collector currents in the 100 mA to 30 mA range in common emitter or common base mode of operation, and in low frequency drift, high ouput UHF oscillators. Sourced from Process 40.
This product is general usage and suitable for many different applications.
UHF/VHF amplifiers
UHF oscillators
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