Références fabricant

Nexperia PBSS4160T,215 Transistor, 900 mA NPN, 60 V, 3-Pin SOT-23

N° de stock RS:: 166-0510
Référence fabricant:: PBSS4160T,215
Fabricant:: Nexperia

Nexperia PBSS4160T,215 Transistor, 900 mA NPN, 60 V, 3-Pin SOT-23

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

198,00 €

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240,00 €

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3000 +	0,066 €	198,00 €

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onsemi NSS60201LT1G Digital Transistor, 60 V dc NPN Surface SOT-23, 3-Pin

N° de stock RS: 186-7197

L'unité (sur une bobine de 3000)

426,00 €

(TVA exclue)

515,46 €

(TVA incluse)

N° de stock RS:: 166-0510
Référence fabricant:: PBSS4160T,215
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	900mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	60V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	80V
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Transition Frequency ft	220MHz
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	5V
	Minimum DC Current Gain hFE	100
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Power Dissipation Pd	1.25W
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.1mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	2.5mm
	Series	PBSS4160T
	Length	3mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 900mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 60V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 80V
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Transition Frequency ft 220MHz
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V
	Minimum DC Current Gain hFE 100
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Power Dissipation Pd 1.25W
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.1mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 2.5mm
	Series PBSS4160T
	Length 3mm
	Automotive Standard No

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in Compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

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