STMicroelectronics SGT3D5R10MEB Power Transistor, 100 V N-Channel 201 A Surface Mount, 9-Pin
- N° de stock RS:
- 877-307
- Référence fabricant:
- SGT3D5R10MEB
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Visuel non contractuel
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 3000 unités)*
3 456,00 €
(TVA exclue)
4 182,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 28 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 1,152 € | 3 456,00 € |
| 6000 + | 1,059 € | 3 177,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 877-307
- Référence fabricant:
- SGT3D5R10MEB
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 100V | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Transistor Configuration | Enhancement Mode | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 255W | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 201A | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 9 | |
| Series | G-HEMT | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type Power Transistor | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 100V | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Transistor Configuration Enhancement Mode | ||
Transistor Polarity N-Channel | ||
Maximum Power Dissipation Pd 255W | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 201A | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 9 | ||
Series G-HEMT | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics power transistor provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Very high switching speed
Extremely low capacitances
Zero reverse recovery charge
Liens connexes
- STMicroelectronics SGT3D5R10MEB Power Transistor 9-Pin
- STMicroelectronics SGT1D5R10MEA Power Transistor 8-Pin
- STMicroelectronics SGT240R70ITK Power Transistor 3-Pin
- STMicroelectronics Bipolar Transistor 100 V, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MJD31CT4 Transistor 100 V, 3-Pin DPAK
- STMicroelectronics MJD112T4 Transistor 100 V, 3-Pin DPAK
- STMicroelectronics 2STBN15D100 Bipolar Transistor 100 V, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics Transistor -100 V, 3-Pin TO-220
