Références fabricant

Microchip 2N3019 Transistor, 1 A NPN, 80 V, 3-Pin TO

N° de stock RS:: 838-605
Référence fabricant:: 2N3019
Fabricant:: Microchip

Microchip 2N3019 Transistor, 1 A NPN, 80 V, 3-Pin TO

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N° de stock RS:: 838-605
Référence fabricant:: 2N3019
Fabricant:: Microchip

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Microchip
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	1A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	80V
	Package Type	TO
	Mount Type	Threaded Through Hole
	Transistor Configuration	Silicon Transistor
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	140V
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	7V
	Maximum Transition Frequency ft	100MHz
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Power Dissipation Pd	800mW
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Width	9.4mm
	Length	9.4mm
	Standards/Approvals	MIL-PRF-19500/391
	Series	JEDEC Registered 2N Military Low Power Transistor
	Height	6.6mm

	Sélectionner tout
	Marque Microchip
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 1A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 80V
	Package Type TO
	Mount Type Threaded Through Hole
	Transistor Configuration Silicon Transistor
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 140V
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 7V
	Maximum Transition Frequency ft 100MHz
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Power Dissipation Pd 800mW
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Width 9.4mm
	Length 9.4mm
	Standards/Approvals MIL-PRF-19500/391
	Series JEDEC Registered 2N Military Low Power Transistor
	Height 6.6mm

Datasheet - 2N3019

Non conforme

Pays d'origine :: PH

The Microchip radiation-hardened low-power NPN silicon transistor, specifically designed for high-reliability applications. It offers robust performance in demanding environments where reliability and efficiency are critical.

Qualified under multiple RHA levels for enhanced reliability

Available in both leaded and lightweight package options

Operates within a wide junction temperature range of -65 to +200 °C

Low power dissipation with maximum ratings suitable for various applications

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