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Microchip JANTX2N2222A Transistor, 800 mA NPN, 50 V dc, 3-Pin TO-18

N° de stock RS:: 838-598
Référence fabricant:: JANTX2N2222A
Fabricant:: Microchip

Microchip JANTX2N2222A Transistor, 800 mA NPN, 50 V dc, 3-Pin TO-18

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N° de stock RS:: 838-598
Référence fabricant:: JANTX2N2222A
Fabricant:: Microchip

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Microchip
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	800mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	50V dc
	Package Type	TO-18
	Mount Type	Threaded Through Hole
	Transistor Configuration	Silicon Transistor
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	75V dc
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Transition Frequency ft	100MHz
	Maximum Power Dissipation Pd	0.5W
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	6V dc
	Transistor Polarity	NPN
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Length	19.03mm
	Height	5.33mm
	Standards/Approvals	MIL-PRF-19500/255
	Width	5.84mm
	Series	2N2221A–2N2222A

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	Marque Microchip
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 800mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 50V dc
	Package Type TO-18
	Mount Type Threaded Through Hole
	Transistor Configuration Silicon Transistor
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 75V dc
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Transition Frequency ft 100MHz
	Maximum Power Dissipation Pd 0.5W
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 6V dc
	Transistor Polarity NPN
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Length 19.03mm
	Height 5.33mm
	Standards/Approvals MIL-PRF-19500/255
	Width 5.84mm
	Series 2N2221A–2N2222A

Datasheet - JANTX2N2222A

Non conforme

Pays d'origine :: PH

The Microchip radiation-hardened transistor is designed for reliable switching applications in harsh environments, offering high performance and durability against radiation exposure.

Qualified per MIL-PRF-19500/255 for military standards

Supports various radiation levels, providing versatility in applications

Thermal resistance and power dissipation characteristics ensure operational efficiency

Small-signal characteristics enhance switching performance

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