Références fabricant

Nexperia PBSS5160U,115 Transistor, -1 A PNP, -60 V, 3-Pin UMT

N° de stock RS:: 485-353
Référence fabricant:: PBSS5160U,115
Fabricant:: Nexperia

Nexperia PBSS5160U,115 Transistor, -1 A PNP, -60 V, 3-Pin UMT

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60 - 100	0,149 €	2,98 €
120 - 220	0,066 €	1,32 €
240 - 460	0,064 €	1,28 €
480 +	0,063 €	1,26 €

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N° de stock RS:: 485-353
Référence fabricant:: PBSS5160U,115
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	-1A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	-60V
	Package Type	UMT
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	80V
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Power Dissipation Pd	415mW
	Transistor Polarity	PNP
	Minimum DC Current Gain hFE	100
	Maximum Transition Frequency ft	185MHz
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	5V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	3
	Standards/Approvals	No
	Width	1.25mm
	Series	PBSS5160U
	Length	2mm
	Height	0.95mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc -1A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -60V
	Package Type UMT
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 80V
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Power Dissipation Pd 415mW
	Transistor Polarity PNP
	Minimum DC Current Gain hFE 100
	Maximum Transition Frequency ft 185MHz
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 3
	Standards/Approvals No
	Width 1.25mm
	Series PBSS5160U
	Length 2mm
	Height 0.95mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Low Saturation Voltage PNP Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in Compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

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