STMicroelectronics 2STF2360 Transistor, 3 A PNP, -60 V, 3-Pin SOT-89
- N° de stock RS:
- 151-452
- Référence fabricant:
- 2STF2360
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,474 € | 9,48 € |
| 200 - 980 | 0,386 € | 7,72 € |
| 1000 - 1980 | 0,294 € | 5,88 € |
| 2000 + | 0,261 € | 5,22 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 151-452
- Référence fabricant:
- 2STF2360
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 3A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -60V | |
| Package Type | SOT-89 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | PNP | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | -60V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.4W | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | -6V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 160 | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 4.4mm | |
| Width | 1.4mm | |
| Length | 2.29mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 3A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -60V | ||
Package Type SOT-89 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration PNP | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO -60V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.4W | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO -6V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 160 | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 4.4mm | ||
Width 1.4mm | ||
Length 2.29mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics PNP transistor manufactured using new power bipolar high density current technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
Can be used in emergency lighting and voltage regulation applications
High current gain characteristic
Fast switching speed
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