- N° de stock RS:
- 273-5224
- Référence fabricant:
- BGA7H1N6E6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Ajouté
Prix L'unité (en paquet de 10)
0,724 €
(TVA exclue)
0,876 €
(TVA incluse)
Unité | Prix par unité | le paquet* |
10 - 990 | 0,724 € | 7,24 € |
1000 - 1990 | 0,568 € | 5,68 € |
2000 - 4990 | 0,557 € | 5,57 € |
5000 - 9990 | 0,545 € | 5,45 € |
10000 + | 0,537 € | 5,37 € |
*prix conseillé |
- N° de stock RS:
- 273-5224
- Référence fabricant:
- BGA7H1N6E6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Documentation technique
Législations et de normes
- Pays d'origine :
- MY
Détails du produit
The Infineon RF Amplifier is a front end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 2300 MHz to 2690 MHz. The LNA provides 12.5 dB gain and 0.60 dB noise figure at a current consumption of 4.7 mA. This RF amplifier is base on Silicon Germanium technology. It operates from 1.5 V to 3.3 V supply voltage.
Pb free package
RoHS compliant
Low noise figure
Digitally on off switch
Low current consumption
Only 1 external SMD component necessary
RoHS compliant
Low noise figure
Digitally on off switch
Low current consumption
Only 1 external SMD component necessary
Spécifications
Attribut | Valeur |
---|---|
Amplifier Type | Low Noise Amplifier |
Typical Power Gain | 12.5 dB |
Typical Noise Figure | 0.6dB |
Number of Channels per Chip | 1 |
Maximum Operating Frequency | 2690 MHz |
Package Type | TSNP-6-2 |
Pin Count | 6 |
- N° de stock RS:
- 273-5224
- Référence fabricant:
- BGA7H1N6E6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon