- N° de stock RS:
- 891-2872
- Référence fabricant:
- TK10E60W,S1VX(S
- Fabricant:
- Toshiba
Produit discontinué
- N° de stock RS:
- 891-2872
- Référence fabricant:
- TK10E60W,S1VX(S
- Fabricant:
- Toshiba
Documentation technique
Législations et de normes
- Pays d'origine :
- CN
Détails du produit
MOSFET Transistors, Toshiba
Spécifications
Attribut | Valeur |
---|---|
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 9.7 A |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Package Type | TO-220SIS |
Mounting Type | Through Hole |
Pin Count | 3 |
Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
Maximum Power Dissipation | 100 W |
Transistor Configuration | Single |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Length | 10.16mm |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Number of Elements per Chip | 1 |
Width | 4.45mm |
Series | TK |
Forward Diode Voltage | 1.7V |
Height | 15.1mm |
- N° de stock RS:
- 891-2872
- Référence fabricant:
- TK10E60W,S1VX(S
- Fabricant:
- Toshiba