N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Infineon 2N7002H6327XTSA2

N° de stock RS:: 752-7773
Référence fabricant:: 2N7002H6327XTSA2
Fabricant:: Infineon

N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Infineon 2N7002H6327XTSA2

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Ajouté

Prix L'unité (en paquet de 100)

0,082 €

(TVA exclue)

0,099 €

(TVA incluse)

Unité	Prix par unité	le paquet*
100 - 900	0,082 €	8,20 €
1000 - 2400	0,078 €	7,80 €
2500 - 4900	0,075 €	7,50 €
5000 - 9900	0,072 €	7,20 €
10000 +	0,067 €	6,70 €
*prix conseillé

N° de stock RS:: 752-7773
Référence fabricant:: 2N7002H6327XTSA2
Fabricant:: Infineon

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Spécifications

Attribut	Valeur
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	300 mA
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Series	OptiMOS
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	4 Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Power Dissipation	500 mW
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Width	1.3mm
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.4 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	2.9mm
Height	1mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N° de stock RS:: 752-7773
Référence fabricant:: 2N7002H6327XTSA2
Fabricant:: Infineon