N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBE30PBF
- N° de stock RS:
- 541-1124P
- Référence fabricant:
- IRFBE30PBF
- Fabricant:
- Vishay
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| Unité | Prix par unité |
| 10 - 49 | 2,83 € |
| 50 - 99 | 2,70 € |
| 100 - 249 | 2,56 € |
| 250 + | 2,42 € |
- N° de stock RS:
- 541-1124P
- Référence fabricant:
- IRFBE30PBF
- Fabricant:
- Vishay
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Spécifications
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.1 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Package Type | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 Ω |
| Channel Mode | Enhancement |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Transistor Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Length | 10.41mm |
| Width | 4.7mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Height | 9.01mm |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
- N° de stock RS:
- 541-1124P
- Référence fabricant:
- IRFBE30PBF
- Fabricant:
- Vishay