N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK30E06N1,S1X(S

Produit discontinué

Produit de remplacement

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Prix L'unité (en paquet de 5)

0,828 €

(TVA exclue)

1,002 €

(TVA incluse)

MOSFET Transistors, Toshiba

Attribut	Valeur
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	43 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	TO-220
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	15 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	53 W
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 10 V
Length	10.16mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	1
Width	4.45mm
Series	U-MOSVIII-H
Height	15.1mm
Forward Diode Voltage	1.2V