Dual N/P-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 30 V, 6-Pin TSMT ROHM QS6M3TR
- N° de stock RS:
- 124-6766
- Référence fabricant:
- QS6M3TR
- Fabricant:
- ROHM
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Prix L'unité (en paquet de 25)
0,213 €
(TVA exclue)
0,258 €
(TVA incluse)
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 25 - 100 | 0,213 € | 5,325 € |
| 125 - 225 | 0,192 € | 4,80 € |
| 250 - 600 | 0,174 € | 4,35 € |
| 625 - 1225 | 0,16 € | 4,00 € |
| 1250 + | 0,148 € | 3,70 € |
| *prix conseillé | ||
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- QS6M3TR
- Fabricant:
- ROHM
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Dual, N-Channel and P-Channel MOSFET, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Spécifications
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Channel Type | N, P |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V, 30 V |
| Package Type | TSMT |
| Series | QS6M3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 6 |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Transistor Configuration | Dual Base |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.6mm |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Length | 2.9mm |
| Transistor Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Height | 0.85mm |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
- N° de stock RS:
- 124-6766
- Référence fabricant:
- QS6M3TR
- Fabricant:
- ROHM