N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 4+Tab-Pin LFPAK Renesas RJK0852DPB-WS#J5
- N° de stock RS:
- 124-3703
- Référence fabricant:
- RJK0852DPB-WS#J5
- Fabricant:
- Renesas Electronics
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Ajouté
Prix L'unité (en paquet de 5)
1,162 €
(TVA exclue)
1,406 €
(TVA incluse)
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 5 - 5 | 1,162 € | 5,81 € |
| 10 - 20 | 1,046 € | 5,23 € |
| 25 - 120 | 0,952 € | 4,76 € |
| 125 - 245 | 0,872 € | 4,36 € |
| 250 + | 0,804 € | 4,02 € |
| *prix conseillé | ||
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- 124-3703
- Référence fabricant:
- RJK0852DPB-WS#J5
- Fabricant:
- Renesas Electronics
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
N-Channel Low Voltage MOSFETs up to 140V, Renesas Electronics
MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)
Spécifications
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Package Type | LFPAK |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 4+Tab |
| Maximum Drain Source Resistance | 14 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation | 55 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Width | 3.95mm |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Transistor Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Length | 5.3mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Height | 1.03mm |
- N° de stock RS:
- 124-3703
- Référence fabricant:
- RJK0852DPB-WS#J5
- Fabricant:
- Renesas Electronics