N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP Renesas RJK6012DPP-E0#T2
- N° de stock RS:
- 121-6898
- Référence fabricant:
- RJK6012DPP-E0#T2
- Fabricant:
- Renesas Electronics
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Prix L'unité (en paquet de 2)
2,40 €
(TVA exclue)
2,90 €
(TVA incluse)
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 2 - 8 | 2,40 € | 4,80 € |
| 10 - 18 | 2,165 € | 4,33 € |
| 20 - 98 | 1,95 € | 3,90 € |
| 100 - 198 | 1,805 € | 3,61 € |
| 200 + | 1,705 € | 3,41 € |
| *prix conseillé | ||
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- 121-6898
- Référence fabricant:
- RJK6012DPP-E0#T2
- Fabricant:
- Renesas Electronics
Documentation technique
Législations et de normes
- Pays d'origine :
- KR
Détails du produit
N-Channel High Voltage MOSFETs 150V and Over, Renesas Electronics
MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)
Spécifications
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Package Type | TO-220FP |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 920 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Width | 4.7mm |
| Length | 10.16mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |
| Height | 15.87mm |
- N° de stock RS:
- 121-6898
- Référence fabricant:
- RJK6012DPP-E0#T2
- Fabricant:
- Renesas Electronics