P-Channel MOSFET, 15 A, 60 V, 3-Pin DPAK Renesas NP15P06SLG-E1-AY
- N° de stock RS:
- 121-6891
- Référence fabricant:
- NP15P06SLG-E1-AY
- Fabricant:
- Renesas Electronics
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Prix L'unité (en paquet de 10)
1,20 €
(TVA exclue)
1,45 €
(TVA incluse)
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 10 - 40 | 1,20 € | 12,00 € |
| 50 - 90 | 1,03 € | 10,30 € |
| 100 - 490 | 0,90 € | 9,00 € |
| 500 - 990 | 0,72 € | 7,20 € |
| 1000 + | 0,60 € | 6,00 € |
| *prix conseillé | ||
- N° de stock RS:
- 121-6891
- Référence fabricant:
- NP15P06SLG-E1-AY
- Fabricant:
- Renesas Electronics
Documentation technique
Législations et de normes
- Pays d'origine :
- MY
Détails du produit
P-Channel MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)
Spécifications
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 15 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Package Type | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 95 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Width | 6.1mm |
| Transistor Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Length | 6.5mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Height | 2.3mm |
| Forward Diode Voltage | 1.5V |