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Semikron Danfoss SKM50GB12T4, Type N-Channel IGBT Module, 81 A 1200 V, 7-Pin SEMITRANS, Panel

N° de stock RS:: 687-4967
Numéro d'article Distrelec:: 171-01-156
Référence fabricant:: SKM50GB12T4
Fabricant:: Semikron Danfoss

Semikron Danfoss SKM50GB12T4, Type N-Channel IGBT Module, 81 A 1200 V, 7-Pin SEMITRANS, Panel

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N° de stock RS:: 687-4967
Numéro d'article Distrelec:: 171-01-156
Référence fabricant:: SKM50GB12T4
Fabricant:: Semikron Danfoss

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Semikron Danfoss
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	81A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	2
	Package Type	SEMITRANS
	Mount Type	Panel
	Channel Type	Type N
	Pin Count	7
	Switching Speed	20kHz
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.1V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	94mm
	Series	SKM50GB12T4
	Standards/Approvals	No
	Height	30.1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Semikron Danfoss
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 81A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 2
	Package Type SEMITRANS
	Mount Type Panel
	Channel Type Type N
	Pin Count 7
	Switching Speed 20kHz
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 94mm
	Series SKM50GB12T4
	Standards/Approvals No
	Height 30.1mm
	Automotive Standard No

Dual IGBT Modules

A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.

Compact SEMITOP® package

Suitable for switching frequencies up to 12kHz

Insulated copper baseplate using Direct Bonded Copper technology

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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